產品系列 |
圖片 |
規(guī)格書 |
參數(shù) |
描述 |
BLS65R041F |
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N-Channel,650V,75A,TO247 TO3PN |
SJ MOSFETs Mode:N-Channel,VDS(Max.):650V,ID(Max.):75A RDS(on)(Max.):42mΩ,Qg(Typ):161nC,Package:TO247 TO3PN 快速切換,改進的 dv/dt 能力,RoHS 產品 BLS65R041F是硅 N 溝道增強型 MOSFET,采用先進的超級結技術獲得,可降低導通損耗,提高開關性能。 該晶體管適用于開關電源、高速開關和通用應用
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BLS60R520 |
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N-Channel,600V,8A,TO220 TO220F TO251 TO252 |
SJ MOSFETs Mode:N-Channel,VDS(Max.):600V,ID(Max.):8A RDS(on)(Max.):520mΩ,Qg(Typ):16nC,Package:TO220 TO220F TO251 TO252 快速切換,改進的 dv/dt 能力,RoHS 產品 BLS60R520是硅 N 溝道增強型 MOSFET,采用先進的超級結技術獲得,可降低導通損耗,提高開關性能。 該晶體管適用于開關電源、高速開關和通用應用
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BLS60R380F |
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N-Channel,600V,11A,TO220F TO220 TO251 TO252 TO263 |
SJ MOSFETs Mode:N-Channel,VDS(Max.):600V,ID(Max.):11A RDS(on)(Max.):380mΩ,Qg(Typ):21.1nC,Package:TO220F TO220 TO251 TO252 TO263 快速切換,改進的 dv/dt 能力,RoHS 產品 BLS60R380F是硅 N 溝道增強型 MOSFET,采用先進的超級結技術獲得,可降低導通損耗,提高開關性能。 該晶體管適用于開關電源、高速開關和通用應用
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BLS60R360 |
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N-Channel,650V,11A,TO220F TO220 TO251 TO252 TO263 |
SJ MOSFETs Mode:N-Channel,VDS(Max.):650V,ID(Max.):11A RDS(on)(Max.):360mΩ,Qg(Typ):20.8nC,Package:TO220F TO220 TO251 TO252 TO263 快速切換,改進的 dv/dt 能力,RoHS 產品 BLS60R360是硅 N 溝道增強型 MOSFET,采用先進的超級結技術獲得,可降低導通損耗,提高開關性能。 該晶體管適用于開關電源、高速開關和通用應用
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BLS60R150F |
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N-Channel,600V,25A,TO220 TO220F TO262 TO263 TO3PN |
SJ MOSFETs Mode:N-Channel,VDS(Max.):600V,ID(Max.):25A RDS(on)(Max.):150mΩ,Qg(Typ):45nC,Package:TO220 TO220F TO262 TO263 TO3PN 快速切換,改進的 dv/dt 能力,RoHS 產品 BLS65R150F是硅 N 溝道增強型 MOSFET,采用先進的超級結技術獲得,可降低導通損耗,提高開關性能。 該晶體管適用于開關電源、高速開關和通用應用
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BLS60R150 |
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N-Channel,600V,25A,TO220 TO220F TO247 TO3PN |
SJ MOSFETs Mode:N-Channel,VDS(Max.):600V,ID(Max.):25A RDS(on)(Max.):150mΩ,Qg(Typ):43nC,Package:TO220 TO220F TO247 TO3PN 快速切換,改進的 dv/dt 能力,RoHS 產品 BLS60R150是硅 N 溝道增強型 MOSFET,采用先進的超級結技術獲得,可降低導通損耗,提高開關性能。 該晶體管適用于開關電源、高速開關和通用應用
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BLS60R036 |
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N-Channel,600V,75A,TO247 TO3PN |
SJ MOSFETs Mode:N-Channel,VDS(Max.):600V,ID(Max.):75A RDS(on)(Max.):36mΩ,Qg(Typ):160nC,Package:TO247 TO3PN 快速切換,改進的 dv/dt 能力,RoHS 產品 BLS60R036 是硅 N 溝道增強型 MOSFET,采用先進的超級結技術獲得,可降低導通損耗,提高開關性能。 該晶體管適用于開關電源、高速開關和通用應用
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